Производство микрочипов в России!

Фильм о способах производства микрочипов. В этом фильме Вы узнаете из чего и как делают микрочип, основные этапы производства. 

Интегральная (микро)схема (ИС, ИМС, м/сх), микросхема, чип — микроэлектронное устройство — электронная схема произвольной сложности (кристалл), изготовленная на полупроводниковой подложке (пластине или плёнке) и помещённая в неразборный корпус, или без такового, в случае вхождения в состав микросборки.

Большая часть микросхем изготавливается в корпусах для поверхностного монтажа.

До 2010 года завод «Микрон» (принадлежит компании «Ситроникс») работал по около-микронным нормам, на оборудовании большей частью оставшегося с советских времен.

В 2006 году была куплена технология и оборудование для производства с нормами 180нм (CMOS+EEPROM) с алюминиевой металлизацией на пластинах диаметром 200 мм у компании STMicroelectronics. Затем, на базе этого оборудования были разработаны технологии SiGe (нужно для радиочастотных применений — ГЛОНАСС, радары и проч.) и КНИ (для радиационно-стойких микросхем). Объём производства — 1500 пластин в месяц. Первые тестовые пластины были произведены в 2010 году.

Затем у той же STMicroelectronics была приобретена технология 90 нм с медной металлизацией, требующая дополнительного оборудования (в основном сканеры) с ростом мощности производства до 3000 пластин в месяц:

ASML PAS 5500/750F 248nm/0.7 120 пластин в час;

ASML PAS/1150C 193nm/0.75 135 пластин в час (первый в России сканер на длине волны 193 нм).

Финансированием занималось «Роснано». В сентябре 2012 года сообщили о начале продаж 90 нм продукции. Таким образом, в настоящий момент Ситроникс-Микрон обладает наиболее современным и универсальным полупроводниковым производством в России, потратив на него очень скромные по мировым меркам деньги.

У Микрона есть младший брат — ВЗПП-Микрон, в Воронеже — там делают дискретные элементы и микросхемы на микронных нормах.

Фабрика НИИСИ РАН находится на территории Курчатовского института в Москве и обладает технологиями с проектными нормами 500, 350 и 250 нанометров на пластинах объёмного кремния и КНИ. Изначально не предназначена для крупносерийного производства и позиционируется как «исследовательская фабрика Академии наук». Большинство производимых здесь микросхем разработаны самим НИИСИ, однако фабрика работает и с внешними заказчиками, например, с воронежским НИИЭТ, который производит здесь свои радиационностойкие микроконтроллеры.

На «старом» «Ангстреме» — производство с нормами 600 нм на пластинах диаметром 150 мм (8 тыс. пластин в месяц) и 100 мм, 1200 нм кремний-на-сапфире/карбид кремния (4 тыс. пластин в месяц). Степперы — Cannon FPA-2000 i1 (длина волны 365nm, NA=0.52, разрешение ~0.5um). Как и у других российских заводов — гражданская продукция идёт на экспорт (LED-драйверы, микросхемы управления питанием для сотовых телефонов и прочее).

Помимо «старого» Ангстрема существует новый проект «Ангстрем-Т», находящийся в настоящее время на стадии реализации. Проект основывается на корпусе недостроенного завода, оставшегося ещё с советских времен. Корпус был построен добротно, и удовлетворял современным требованиям технологии 130 нм. Оборудование покупали снятое с Дрезденского завода AMD (130 нм, медная металлизация в 9 слоёв, 14 тыс. пластин в месяц), а финансировался проект практически полностью за счёт кредитной линии ВЭБа с лимитом 815 млн евро. В 2008 году заплатили AMD за оборудование ~182.5 млн евро, ~120 млн евро — лицензия на технологию, ~10 млн евро — компании Meissner & Wurst за этап А проектирования завода. Однако собственником оборудования стал не Ангстрем-Т, а кипрская офшорная компания Runica. Оборудование в Россию также не повезли, а оставили на складах в Нидерландах и Дрездене. Затем финансирование остановилось, оборудование так и осталось за границей. В 2012 году финансирование было возобновлено, а в конце октября 2012 года Ангстрем-Т был куплен Леонидом Рейманом. Одновременно, лицензирована технология 90 нм у IBM, которая потребует приобретения дополнительного оборудования. Строительство возобновлено.

Часто под интегральной схемой (ИС) понимают собственно кристалл или плёнку с электронной схемой, а под микросхемой (МС) — ИС, заключённую в корпус. В то же время выражение чип-компоненты означает «компоненты для поверхностного монтажа» (в отличие от компонентов для пайки в отверстия на плате).